2026年上海國際半導(dǎo)體展覽會(huì)（SEMICON China 2026）預(yù)計(jì)將吸引全球1400+企業(yè)參展，涵蓋芯片設(shè)計(jì)、制造、封測、設(shè)備、材料等全產(chǎn)業(yè)鏈。以下是部分已知參展商及行業(yè)頭部企業(yè)（具體名單以主辦方最終公布為準(zhǔn)）：

國際巨頭：設(shè)備與材料領(lǐng)域的技術(shù)高地

1. ASML：EUV 光刻機(jī)與計(jì)算光刻的持續(xù)突破

核心展品：High-NA EUV 光刻機(jī)：支持 2nm 以下邏輯芯片量產(chǎn)，采用全新光源技術(shù)，單次曝光分辨率提升至 0.33nm，預(yù)計(jì) 2026 年 Q2 完成客戶驗(yàn)證。

                DUV 光刻機(jī)產(chǎn)能升級：2025 年底實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) 600 臺 DUV 設(shè)備，重點(diǎn)布局中國成熟制程市場，支持 14nm 及以上節(jié)點(diǎn)擴(kuò)產(chǎn)。

                計(jì)算光刻解決方案：集成 AI 算法的 OPC（光學(xué)鄰近修正）系統(tǒng)，可減少 EUV 光刻步驟 30%，降低先進(jìn)制程成本。

2. 應(yīng)用材料（Applied Materials）：從晶圓制造到異構(gòu)集成的全棧創(chuàng)新

技術(shù)亮點(diǎn)：Vistara?晶圓制造平臺：支持 2nm 以下邏輯芯片與 3D NAND 存儲量產(chǎn)，采用模塊化設(shè)計(jì)，可靈活切換工藝類型，產(chǎn)能提升 20%。

                3.5D 封裝解決方案：基于混合銅鍵合技術(shù)的 XDSiP 平臺，支持 6000mm2 芯片集成，信號密度較傳統(tǒng)封裝提升 7 倍，功耗降低 90%，已獲博通、富士通等企業(yè)采用。

               半導(dǎo)體材料創(chuàng)新：Black Diamond?超低介電常數(shù)薄膜材料，k 值低至 2.3，支持 2nm 以下互連技術(shù)，已通過臺積電 4nm 工藝驗(yàn)證。

3. 東京電子（Tokyo Electron）：刻蝕與薄膜沉積的亞洲標(biāo)桿

重點(diǎn)產(chǎn)品：Sym3? 刻蝕系統(tǒng)：采用脈沖等離子體技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)原子級精度刻蝕，支持 GAA（環(huán)繞柵極）晶體管量產(chǎn)，刻蝕均勻性誤差小于 1%。

                EUV 光罩缺陷檢測設(shè)備：結(jié)合電子束與 AI 算法，可檢測 0.1nm 級缺陷，檢測效率較傳統(tǒng)方案提升 5 倍，已獲三星、SK 海力士訂單。

本土龍頭：國產(chǎn)替代與場景創(chuàng)新的雙輪驅(qū)動(dòng)

1. 中微公司：刻蝕設(shè)備與第三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

參展亮點(diǎn)：Primo Halona?晶圓邊緣刻蝕設(shè)備：采用雙反應(yīng)臺設(shè)計(jì)，支持 12 英寸晶圓量產(chǎn)，刻蝕速率達(dá) 500nm/min，已通過中芯國際 14nm 工藝驗(yàn)證。

                SiC 刻蝕解決方案：針對 6 英寸碳化硅襯底開發(fā)的等離子體刻蝕設(shè)備，刻蝕深度均勻性誤差小于 2%，良率提升至 95% 以上。

2. 北方華創(chuàng)：泛半導(dǎo)體設(shè)備的全場景覆蓋

技術(shù)突破：12 英寸氧化擴(kuò)散設(shè)備：支持 3nm 邏輯芯片柵極氧化工藝，氧化層厚度均勻性誤差小于 0.5%，已進(jìn)入臺積電供應(yīng)鏈。

                第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線：與三安光電合作建設(shè)的 8 英寸 SiC 晶圓產(chǎn)線，月產(chǎn)能達(dá) 5 萬片，良率突破 80%，成本較進(jìn)口設(shè)備降低 30%。

3. 士蘭微：功率半導(dǎo)體與車規(guī)級芯片的國產(chǎn)先鋒

重點(diǎn)展品：車規(guī)級 IGBT 模塊：采用第七代微溝槽技術(shù)，開關(guān)損耗降低 15%，已通過比亞迪、蔚來車規(guī)認(rèn)證，2026 年產(chǎn)能將達(dá)每月 100 萬片。

                SiC MOSFET 模塊：基于 8 英寸襯底技術(shù)，熱阻降至 0.15℃/W，適配 800V 高壓平臺，已在小鵬 G9 車型中量產(chǎn)。

新興領(lǐng)域：技術(shù)跨界與產(chǎn)業(yè)融合的爆發(fā)點(diǎn)

1. 第三代半導(dǎo)體：碳化硅與氮化鎵的產(chǎn)業(yè)化提速

展商代表：天岳先進(jìn)：展示 8 英寸 SiC 襯底量產(chǎn)技術(shù)，位錯(cuò)密度低于 0.1/cm2，成本較 6 英寸產(chǎn)品降低 40%，已獲意法半導(dǎo)體長期訂單。

               三安光電：發(fā)布 1200V SiC MOSFET 芯片，導(dǎo)通電阻降至 15mΩ?cm2，適配新能源汽車與光伏逆變器，2026 年產(chǎn)能將占全球 20%。

2. 先進(jìn)封裝：異構(gòu)集成與 Chiplet 技術(shù)的落地實(shí)踐

技術(shù)案例：長電科技：展示 3D Foveros 封裝技術(shù)，支持 10 層芯片堆疊，信號傳輸速率達(dá) 50Gbps，已用于 AMD MI300X 加速器。

                通富微電：推出 2.5D 封裝解決方案，采用 TSV（硅通孔）技術(shù)，芯片間互連密度提升 10 倍，成本較傳統(tǒng)封裝降低 25%。

3. AI 與量子計(jì)算：芯片設(shè)計(jì)的范式革命

前沿動(dòng)態(tài)：華為海思：展示昇騰 1000 AI 芯片，采用 3nm 工藝，算力達(dá) 5P FLOPS，支持多模態(tài)大模型訓(xùn)練，已部署于盤古大模型集群。

                本源量子：發(fā)布 256 量子比特超導(dǎo)芯片，保真度達(dá) 99.9%，結(jié)合自主研發(fā)的量子操作系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)量子機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用。

如何獲取完整參展商名單？

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