9月20日，重慶市2023年三季度重大項目集中開工暨投產(chǎn)活動在西部（重慶）科學(xué)城盛大舉行。此次活動共開工重大項目172個，總投資達(dá)1062億元；投產(chǎn)項目119個，總投資612億元。其中，西部（重慶）科學(xué)城作為活動的重要區(qū)域，開工項目達(dá)11個，總投資287.3億元，占全市開工項目總投資的近三分之一，涵蓋了集成電路、教育民生、產(chǎn)業(yè)園區(qū)基礎(chǔ)設(shè)施等多個領(lǐng)域。

在集成電路領(lǐng)域，西部科學(xué)城重慶高新區(qū)芯片項目尤為引人注目。該項目計劃投資145億元，旨在建設(shè)一條月產(chǎn)能為2萬片的集成電路特色工藝線，預(yù)計建設(shè)期為5年。項目建成后，年產(chǎn)值預(yù)計可達(dá)35億元，并將帶動輻射產(chǎn)業(yè)鏈上下游實現(xiàn)千億產(chǎn)值聚集。這一項目的實施，不僅將進(jìn)一步壯大西部科學(xué)城的集成電路產(chǎn)業(yè)集群，還將為重慶市乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新的活力。

目前，西部（重慶）科學(xué)城已初步形成了從6英寸、8英寸到12英寸的全產(chǎn)業(yè)鏈、全規(guī)格集成電路產(chǎn)業(yè)格局。例如，華潤微電子重慶園區(qū)的12英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線和“先進(jìn)半導(dǎo)體封測基地”已雙雙通線，其中12英寸項目投產(chǎn)后將形成月產(chǎn)3萬片的晶圓生產(chǎn)能力。此外，中國電科、華潤微電子、奧松半導(dǎo)體、聯(lián)合微電子中心、西南集成等頭部企業(yè)已在此匯聚，形成了高度聚集的集成電路產(chǎn)業(yè)集群。

值得注意的是，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料，在《“十四五”規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》中被列為重點發(fā)展對象。在碳中和與新能源體系變革的背景下，第三代半導(dǎo)體材料在風(fēng)電、光伏、新能源汽車、儲能等行業(yè)的應(yīng)用前景廣闊。據(jù)行業(yè)機構(gòu)預(yù)測，到2026年，碳化硅產(chǎn)品市場將達(dá)到35億美元，氮化鎵功率產(chǎn)品市場需求將增長到21億美元。

面對這一巨大的市場機遇，國內(nèi)外企業(yè)紛紛布局氮化鎵和碳化硅項目。國內(nèi)企業(yè)如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等已不斷投入氮化鎵項目，全產(chǎn)業(yè)鏈項目數(shù)量約達(dá)26個；國外龍頭如英飛凌等也正積極布局。在碳化硅功率器件市場，受益于特斯拉等企業(yè)的應(yīng)用需求，意法半導(dǎo)體領(lǐng)先全球市場，而Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商也緊隨其后。

在碳化硅和氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈中，襯底、外延、芯片三個環(huán)節(jié)技術(shù)含量密集，是投資和創(chuàng)新的重點。目前，碳化硅6英寸襯底技術(shù)已穩(wěn)定導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)，8英寸襯底正在探索商業(yè)化量產(chǎn)。其中，襯底大廠Wolfspeed在此方面推進(jìn)最為迅速，而國內(nèi)企業(yè)則仍處于提供樣品或小規(guī)模供貨階段。

未來，西部（重慶）科學(xué)城將繼續(xù)發(fā)揮其在集成電路產(chǎn)業(yè)方面的優(yōu)勢，加大區(qū)域內(nèi)企業(yè)協(xié)同合作力度，并發(fā)揮賽寶工業(yè)技術(shù)研究院等科創(chuàng)平臺的作用。力爭到2027年，打造集成電路特色工藝集聚高地，實現(xiàn)產(chǎn)值700億元的目標(biāo)。這一目標(biāo)的實現(xiàn)，將為重慶市乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入更為強勁的動力。