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2025年10月22日~10月24日
開閉館時(shí)間 9:00-18:00
展館名稱蘇州國際博覽中心
主辦單位第三代半導(dǎo)體官方
展會(huì)規(guī)模2.4萬m2
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第三代半導(dǎo)體材料:GaN(氮化鎵)、SiC(碳化硅)、AlN(氮化鋁)、Ga2O3(氧化鎵)、以及其他寬禁帶半導(dǎo)體材料
功率器件與模塊:高頻、高效、高壓功率器件、SiC MOSFETs(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、GaN HEMTs(高電子遷移率晶體管)、功率模塊
射頻器件與模塊:射頻功率放大器、射頻開關(guān)、射頻濾波器、微波與毫米波器件
光電器件與模塊:UV LED(紫外發(fā)光二極管)、藍(lán)光/綠光LED、激光二極管、光探測器
半導(dǎo)體裝備與制造:MOCVD(金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)設(shè)備、PECVD(等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)設(shè)備、外延生長設(shè)備、晶圓加工設(shè)備、測試與封裝設(shè)備
封裝與熱管理:高效散熱材料與技術(shù)、封裝技術(shù)、熱界面材料
應(yīng)用產(chǎn)品與解決方案:新能源汽車與充電樁、智能電網(wǎng)與能源轉(zhuǎn)換、數(shù)據(jù)中心與服務(wù)器電源、無線充電與快充技術(shù)、5G通訊基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子、工業(yè)控制與電機(jī)驅(qū)動(dòng)
研發(fā)與檢測設(shè)備:表征與測試設(shè)備、材料分析儀器、微觀結(jié)構(gòu)分析
科研成果與創(chuàng)新項(xiàng)目:新型材料與器件的研究成果、技術(shù)轉(zhuǎn)化與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目
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